XF-R 3-1
H-Feldsonde 30 MHz bis 6 GHz
 
        				
        					
        						 
        					
        
        					Kurzbeschreibung
Die Nahfeldsonde XF-R 3-1 dient der Messung von HF-Magnetfeldern mit hoher Auflösung unmittelbar auf der Baugruppe, z.B. im Bereich um Pins und Gehäuse von ICs, Leiterzügen Stützkondensatoren und EMV-Bauelementen.
Die H-Feldsonde XF-R 3-1 besitzt den gleichen prinzipiellen Aufbau wie die Sonden XF-R 100-1 und XF-R 400-1. Die Auflösung der XF-R 3-1 ist jedoch wesentlich höher. Die H-Feldsonde ist für Messungen dicht an Bauelementen im Bereich hoher magnetischer Feldstärken geeignet. Für Messungen in größeren Abständen wie sie mit der XF-R 400-1 und der XF-R 100-1 ausgeführt werden, ist sie nicht geeignet. Die Nahfeldsonde ist klein und handlich. Sie hat eine Mantelstromdämpfung und ist elektrisch geschirmt. Die Nahfeldsonde wird an einen Spektrumanalysator oder ein Oszilloskop mit 50 Ω Eingang angeschlossen. Die H-Feldsonde besitzt intern einen Abschlusswiderstand.
 
           
          ![Frequenzgang [dBµV] / [dBµA/m]](/fileadmin/Bilder300/Disturbance emission_near field probe_XF-R 3-1_frequency response_en_wPZ.png?v=1761894007581) 
        									![Korrekturkurve H-Feld [dBµA/m] / [dBµV]](/fileadmin/Bilder300/Disturbance emission_near field probe_XF-R 3-1_H-field correction curve_en_wPZ.png?v=1761894007581) 
        									![Korrekturkurve Strom [dBµA] / [dBµV]](/fileadmin/Bilder300/Disturbance emission_near field probe_XF-R 3-1_current correction curve_en_wPZ.png?v=1761894007581) 
        									