EMV-Messunterstützung am IC
H-Feld / E-Feld Messung an IC
ICS 103 IC-Scanner
Messen der elektromagnetischen Störaussendung nach IEC 61967-3,
Abs. 3: Measurement of radiated emissions, surface scan method (10kHz to 3GHz)
E - Feld Auflösung: 150 µm x 35 µm
H - Feld Auflösung: 70 µm

- Aufbau Scannersystem
Messung der Nahfelder über den DIE
Messung der magnetischen und elektrischen Nahfeldern mit hoher Auflösung.
Die Messergebnisse werden detailliert in 2D- und 3D-Grafiken dargestellt.
Messung der Nahfelder über den IC-Pins
Diese Messung dient der indirekten berührungslosen Spannungs- und Strommessung der IC-Pins. Aus den Messwerten der H- und E- Feldsonde kann über die Sondenkennlinie die frequenzabhängige Pinspannung berechnet werden.

Gesamtfeldmessung über den IC (P 1600 / 1700)
In der Gesamtfeldmessung werden die IC- Erregerfelder von 16 kHz bis 3 GHz gemessen. Die IC- Erregerfelder realisieren einen speziellen Weg der Flachbaugruppen- Störaussendung. Aus der Messung der Erregerfelder können für den Anwender des IC’s potentielle Einsatzprobleme erkannt und durch Gegenmaßnahmen vermieden werden.
- Messplatz IC- H Erregerfeld (P 1600)

- H-Feld-Sonde P 1601
- Messung von elektrischen Nahfeldern über den IC (P 1700)

- E-Feld-Sonde P 1701
Diese Messung führt die TEM-cell-Messung weiter. Im Gegensatz zur TEM-cell-Messung wird E- und H-Feld getrennt gemessen. Für die praktische Verwendung des IC ist die selektive Erfassung der Felder wichtig. E-Felder erfordern andere EMV-Massnahmen als H-Felder.
