EMV-Messunterstützung am IC
Weiterführende EMV-Messungen
Die Langer EMV-Technik stellt halbautomatische Messplätze für weiterführende EMV-Messungen an IC zur Verfügung. Unsere praktischen Erfahrungen und Probleme im Umgang mit komplexen ICs hinsichtlich ihrer EMV-Eigenschaften lassen wir bei den Messungen und dem Messequipment mit einfließen.
Bitte fragen Sie an, wir beraten Sie gern und unterbreiten Ihnen ein entsprechendes Angebot.
Messung | Parameter | Probe | Messplatz | ||
|---|---|---|---|---|---|
Emission | 1. | HF-Strommessung auf PCB) | 0,1 oder 1 Ohm Shunt | ||
2. | HF- Spannungsmessung an beliebigen IC-Pins PCB) | 50, 150, 1500 Ohm Spannungsmesser, | |||
3. | IC E-Erregerfeld E-Feld, Weiterführung der TEM-cell method) | ... 3 GHz | P1700 | ||
4. | IC H-Erregerfeld H-Feld, Weiterführung TEM-cell method ) | ... 3 GHz | P1600 | ||
5. | IC-Scanner
| ...3 GHz | ICS103
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Immunity | 6. | Pulsstörungen (Burst, ESD)
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7. |
Pulsfelder, E oder H (ESD) zur feldgebundenen Beeinflussung von ICs
Puls-Magnetfeldquelle P1200
Puls-E-Feldquelle P1300
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Pulsstrom max. 160A Pulsform 0,2/2,5 ns
Pulsspannung max. 9,5 kV Pulsform 0,2/5,5 ns |
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P1200
P1300 | |
8. | Direct Power Injektion Methode (DPI) Zeitverläufe, Effektivwerte und Phasenwinkel zur Ursachenforschung im IC | ... 3 GHz | |||
9. | Erweiterte Direct Power Injektion Methode (DPI) Spezialmessungen für LIN-Bausteine Ursachenforschung im IC | ... 3 GHz | |||
10. | Erweiterte Direct Power Injektion (DPI) für OPV-IC | ... 3 GHz | |||
11. | HF - E oder - H Störfelder zur Feld gebundenen Beeinflussung von IC (Die). | in Entwicklung | P1500 | P1500 |
