EMV-Messunterstützung am IC

 

Weiterführende EMV-Messungen

Die Langer EMV-Technik stellt halbautomatische Messplätze für weiterführende EMV-Messungen an IC zur Verfügung. Unsere praktischen Erfahrungen und Probleme im Umgang mit komplexen ICs hinsichtlich ihrer EMV-Eigenschaften lassen wir bei den Messungen und dem Messequipment mit einfließen.

Bitte fragen Sie an, wir beraten Sie gern und unterbreiten Ihnen ein entsprechendes Angebot.

 

 

Messung

Parameter

Probe

Messplatz

Emission

1.

 HF-Strommessung
 an beliebigen IC-Pin

 (Maß für die potentielle HF- Magnetfelderzeugung

 auf PCB)

0,1 oder 1 Ohm Shunt
0,2 kHz ... 3 GHz

P600

P600

2.

 HF- Spannungsmessung an beliebigen IC-Pins

 (Maß für die potentielle HF- E- Felderzeugung auf

 PCB)

50, 150, 1500 Ohm Spannungsmesser,
15 kHz ... 3 GHz

P700

P700

3.

 IC E-Erregerfeld

 (Maß für die Erregung der Störaussendung über IC

 E-Feld, Weiterführung der TEM-cell method)

... 3 GHz

P1700

P1700

4.

 IC H-Erregerfeld

 (Maß für die Erregung der Störaussendung über IC

 H-Feld, Weiterführung TEM-cell method )

... 3 GHz

P1600

P1600

5.

 IC-Scanner
 (Surface Scan Method)

 H-Feld

 E-Feld

 

  • Erfassung der räumlichen Feldverteilung über dem Die.
  • indirektre Strom- und Spannungs- messung an IC- Pins

...3 GHz

Auflösung 70 µm

ICS103

 

Sonden

ICS103

Immunity

6.

 Pulsstörungen (Burst, ESD)
 Einkopplung in IC Pins

 Pulsstromquelle P200
 

 Pulsspannungsquelle P300

 

 

 


Pulsform 1,5/5 ns
Generatorinnenwiderstand 1 Ohm

Pulsform 1,5/20 ns
Generatorinnenwiderstand 100 Ohm

 

 

P200

 

 

P300

 

 

P200

 

 

P300

7.

 Pulsfelder, E oder H (ESD) zur

 feldgebundenen Beeinflussung von ICs

 

 Puls-Magnetfeldquelle P1200

 

 

 Puls-E-Feldquelle P1300

 

 

 

 

Pulsstrom max. 160A

Pulsform 0,2/2,5 ns

 

Pulsspannung max. 9,5 kV

Pulsform 0,2/5,5 ns

 

 

P1200

 

 

P1300

 

 

P1200

 

 

P1300

8.

 Direct Power Injektion Methode (DPI)

 zusätzliche HF-Strom- und Spannungs- messung,

 Zeitverläufe, Effektivwerte und Phasenwinkel zur

 Ursachenforschung im IC

... 3 GHz

P500

P500

9.

 Erweiterte Direct Power Injektion Methode

 (DPI) Spezialmessungen für LIN-Bausteine

 Ursachenforschung im IC

... 3 GHz
“Untersuchung LIN- Tranceiver mit P500”
(PDF-Datei, 395 kb)

P500

P500

10.

 Erweiterte Direct Power Injektion (DPI) für

 OPV-IC

 1R-Generator

 1k Generator

... 3 GHz

“Messung HF-Störfestigkeit OPV”
(PDF-Datei, 441 kb)

P500

P500

11.

 HF - E oder - H Störfelder  zur Feld

 gebundenen Beeinflussung von IC (Die).

 (Weiterführung der TEM-cell method)

in Entwicklung

P1500

P1500